삼성전자가 zHBM을 처음 공개했다 — 'HBM5 대비 8배'의 기준인 HBM5는 아직 개발 중이고, 양산 시점은 다섯 기사 어디에도 없다
삼성전자가 FMS 2026에서 zHBM을 처음 공개했다. HBM5보다 성능이 최대 8배 높고 전성비는 최대 3배, 열 저항은 절반 이상 낮다는 값이 나왔는데 기준이 된 HBM5는 아직 개발 단계다. 전성비 3배의 비교 대상은 매체마다 다르게 적혔고 양산·공급 시점은 다섯 기사 어디에도…
3줄 요약
- 삼성전자가 미국 캘리포니아주 산타클라라 컨벤션센터에서 열린 FMS 2026에서 zHBM을 처음 내놨다. AI 가속기 위쪽에 HBM을 세로로 올리는 구조라고 뉴시스와 서울경제, 머니투데이, 이데일리가 전했다. 행사는 현지시간 4일 시작해 6일까지다.
- 화제가 된 8배는 HBM5와 견준 값이다. 그 HBM5를 두고 머니투데이는 아직 개발조차 끝나지 않았다고 썼고 서울경제는 개발 단계라고 적었다. 삼성은 같은 자리에서 HBM5 목업도 함께 내놨다고 이데일리와 머니투데이가 전했다.
- 전성비 최대 3배의 비교 대상은 매체마다 다르게 적혔고, 8배의 주어도 zHBM과 zHBM을 넣은 시스템으로 갈린다. 무엇을 어떻게 재서 나온 값인지, 언제 양산하는지를 밝힌 기사는 다섯 곳 중 한 곳도 없다.
무슨 일이 있었나
삼성전자가 미국 캘리포니아주 산타클라라 컨벤션센터 무대에 차세대 메모리를 올렸다. 행사 이름은 FMS 2026, 풀어 쓰면 Future of Memory and Storage 다. 현지시간 4일 문을 열어 6일까지 사흘간 이어진다고 뉴시스와 머니투데이, 이데일리가 전했다. 이 자리에서 처음 모습을 보인 것이 zHBM이다. 이데일리에 따르면 삼성이 내놓은 것은 zHBM과 zNAND-O의 목업, 곧 모형이고 업계에서 처음이라고 했다. 기조연설은 이진엽 플래시개발실 부사장과 김경륜 D램개발실 상무가 맡았다. 연설 제목을 옮긴 곳은 두 곳이다. 머니투데이는 'AI 혁명의 파도를 주도하기'로 적고 괄호 안에 영문 원제를 함께 실었다. 이데일리는 같은 자리를 3D 메모리와 스토리지 구조의 혁신으로 AI 혁명을 이끈다는 말로 옮겼다. 두 우리말 제목은 서로 다르다.
zHBM이 무엇인지부터 짚는다. 지금까지 HBM은 AI 가속기 옆자리에 놓였다. 이데일리는 zHBM이 그 배치에서 한 걸음 더 나아가 가속기 위쪽에 HBM을 세로로 올리는 방식이라고 설명했다. 뉴시스는 AI 가속기를 xPU로 표기하며 같은 구조를 전했고, 서울경제는 가속기의 예로 GPU와 맞춤형 반도체를 들었다. 서울경제 표기로는 ASIC 이다. 데이터가 오가는 거리를 줄여 대역폭과 전력 효율을 끌어올리는 것이 목적이며 메모리 병목을 푼다는 것이 같은 기사의 서술이다. 몇 단까지 쌓는지를 적은 곳은 서울경제 한 곳뿐으로, HBM 자체를 4단까지 쌓는 방법을 찾아냈다고 썼다. 나머지 네 기사에는 zHBM의 단수가 나오지 않는다.
제목마다 붙은 8배는 어디서 나온 값인가. 다섯 기사가 드는 기준은 하나로 같다. 8세대 고대역폭메모리인 HBM5다. 다만 문장의 주어가 갈린다. 뉴시스와 이데일리는 zHBM을 적용한 차세대 인터페이스 시스템이 HBM5보다 성능이 최대 8배 높다고 적었고, 머니투데이와 서울경제는 zHBM 자체를 주어로 삼았다. 뉴스1은 소제목에 성능 8배라고만 달았다. 부품 하나를 재서 나온 값인지, 그 부품을 넣은 시스템 전체를 재서 나온 값인지가 여기서 갈린다. 어느 기사도 그 성능이 무엇을 측정한 값인지, 어떤 조건에서 잰 값인지는 밝히지 않았다.
기준이 된 HBM5가 어떤 상태인지가 이 숫자를 읽는 열쇠다. 머니투데이는 HBM5를 아직 개발조차 끝나지 않은 8세대라고 썼고, 서울경제는 현재 개발 단계인 8세대 HBM이라고 적었다. 그리고 삼성은 같은 행사에서 HBM5의 목업도 함께 공개했다. 열을 빼내는 새 기술 HPB를 넣어 대역폭과 용량을 키운 제품이라고 머니투데이와 이데일리가 전했다. HPB를 머니투데이는 히트패스블럭으로, 이데일리는 Heat Path Block 으로 표기했다. 정리하면 8배는 지금 팔리고 있는 제품이 아니라, 아직 만들어지는 중인 다음 세대와 견준 값이다.
zHBM 말고 두 가지가 함께 나왔다. 하나는 zNAND-O 다. 기존 V-낸드의 세로 적층 기술에 실리콘관통전극을 함께 써서 4단이나 8단 칩을 3D로 묶은 제품이라고 뉴시스와 머니투데이가 전했다. 실리콘관통전극은 기사에서 TSV 로 표기된다. 서울경제는 공간 효율과 성능, 저전력을 함께 잡았다고 적었고 서울경제와 이데일리는 온디바이스 AI 환경에 맞춘 제품이라고 했다. 다른 하나는 V10 BV-낸드다. 세로로 400단 넘게 쌓은 낸드를 업계에서 처음 공개했다는 것이 네 기사의 공통된 서술이다. 다섯 기사 모두 업계 최초라고 썼고 세계 최초라는 표현은 쓰지 않았다.
낸드 쪽에서 눈에 띄는 대목은 뉴시스에만 있다. 직전 제품인 286단 9세대 낸드에서 300단대를 지나치고 곧장 400단대로 갔다는 서술이다. 집적도 쪽은 반대다. 직전 세대보다 집적도가 약 58% 높아졌다는 값은 서울경제와 머니투데이, 이데일리에 있고 뉴시스에는 없다. 이름에 붙은 BV 에 대해서는 머니투데이가 셀과 회로를 따로 만든 뒤 세로로 붙이는 기술이라고 풀었다. 같은 기사는 웨이퍼 두 장 이상을 세로로 접합하는 것을 웨이퍼 본딩으로, V-낸드 셀을 세 구간으로 갈라 따로 만든 뒤 세로로 잇는 것을 3 스택으로 설명했다. 전시장 규모를 적은 곳은 이데일리와 머니투데이다. 약 20평 공간에 제품을 약 30개 늘어놨다고 했고, 삼성이 13년 전 이 행사에서 V-낸드를 세계 처음으로 내놨다는 사실도 함께 짚었다.
숫자로 보는 이번 발표
- zHBM 성능
- 값
- HBM5 대비 최대 8배
- 어느 기사에 있나
- 뉴시스·서울경제·뉴스1·머니투데이·이데일리
- zHBM 전성비
- 값
- 최대 3배 향상 (비교 대상은 매체별 상이)
- 어느 기사에 있나
- 뉴시스·서울경제·뉴스1·머니투데이
- zHBM 열 저항
- 값
- 절반 이상 낮춤
- 어느 기사에 있나
- 뉴시스·서울경제·뉴스1·머니투데이
- zNAND-O 구성
- 값
- TSV 결합, 4단 또는 8단 칩을 3D 패키징
- 어느 기사에 있나
- 뉴시스·서울경제·머니투데이·이데일리
- V10 BV-낸드 적층
- 값
- 400단 이상 (업계 최초)
- 어느 기사에 있나
- 뉴시스·서울경제·머니투데이·이데일리
- V10 집적도
- 값
- 직전 세대 대비 약 58% 향상
- 어느 기사에 있나
- 서울경제·머니투데이·이데일리
- 직전 세대 낸드
- 값
- 286단 9세대
- 어느 기사에 있나
- 뉴시스
- 건너뛴 구간
- 값
- 300단대
- 어느 기사에 있나
- 뉴시스
- 전시 규모
- 값
- 약 20평 공간에 제품 약 30개
- 어느 기사에 있나
- 머니투데이·이데일리
- V-낸드 최초 발표
- 값
- 13년 전 같은 행사
- 어느 기사에 있나
- 머니투데이·이데일리
- 양산·공급 시점
- 값
- 어느 기사에도 없음
- 어느 기사에 있나
- 해당 없음
| 항목 | 값 | 어느 기사에 있나 |
|---|---|---|
| zHBM 성능 | HBM5 대비 최대 8배 | 뉴시스·서울경제·뉴스1·머니투데이·이데일리 |
| zHBM 전성비 | 최대 3배 향상 (비교 대상은 매체별 상이) | 뉴시스·서울경제·뉴스1·머니투데이 |
| zHBM 열 저항 | 절반 이상 낮춤 | 뉴시스·서울경제·뉴스1·머니투데이 |
| zNAND-O 구성 | TSV 결합, 4단 또는 8단 칩을 3D 패키징 | 뉴시스·서울경제·머니투데이·이데일리 |
| V10 BV-낸드 적층 | 400단 이상 (업계 최초) | 뉴시스·서울경제·머니투데이·이데일리 |
| V10 집적도 | 직전 세대 대비 약 58% 향상 | 서울경제·머니투데이·이데일리 |
| 직전 세대 낸드 | 286단 9세대 | 뉴시스 |
| 건너뛴 구간 | 300단대 | 뉴시스 |
| 전시 규모 | 약 20평 공간에 제품 약 30개 | 머니투데이·이데일리 |
| V-낸드 최초 발표 | 13년 전 같은 행사 | 머니투데이·이데일리 |
| 양산·공급 시점 | 어느 기사에도 없음 | 해당 없음 |
같은 3배인데 무엇과 견줬는지가 갈린다. 뉴시스와 머니투데이는 HBM5를 기준으로 전성비를 최대 3배 올렸다고 적었고, 서울경제는 전작을 기준으로 삼았다. 뉴스1은 소제목에서 HBM5 쪽으로 묶었다. 열 저항도 비슷하다. 뉴시스는 HBM5를 기준으로 절반 이상 낮췄다고 했고, 서울경제는 기준을 밝히지 않은 채 절반 이상 낮출 수 있다고만 썼다. 머니투데이는 절반 이상 저감으로, 뉴스1은 절반 이상 감소로 적었다.
숫자 하나는 한 기사 안에서 짝을 이루지 못했다. 직전 세대가 286단 9세대라는 값은 뉴시스에만 있고, 직전 세대보다 약 58% 높아졌다는 집적도 값은 뉴시스가 아닌 세 매체에 있다. 두 값이 같은 세대를 가리키는지 한 기사 안에서 확인할 방법은 없다.
여기 없는 숫자도 함께 봐야 한다. 가격, 공급 물량, 고객사, 양산 일정은 다섯 기사 어디에도 나오지 않는다. zNAND-O 는 구조만 설명됐고 대역폭이나 용량 같은 성능 수치가 붙지 않았다. 경쟁사와 견준 값도 없다. 다섯 기사 모두 다른 메모리 업체를 언급하지 않았다.
과거 이력으로 나온 시점은 이데일리에 있다. 삼성이 지난 2월 1c D램과 4나노 베이스 다이를 쓴 HBM4를 업계에서 처음 양산 출하했고, 5월에는 HBM4E 샘플을 세계에서 처음 고객사에 넘겼다는 서술이다. 뉴시스는 HBM4E를 이번 전시 품목으로 언급했다. 이번에 공개된 세 제품에는 이런 시점이 붙지 않았다.
시간순으로
13년 전 — 삼성전자가 이 행사에서 V-낸드를 세계 처음으로 발표했다고 머니투데이와 이데일리가 전했다.
직전 세대 — 286단 9세대 낸드. 다음 제품에서 300단대를 지나쳤다는 서술이 뉴시스에 있다.
지난 2월 — 1c D램과 4나노 베이스 다이를 쓴 HBM4를 업계에서 처음 양산 출하했다고 이데일리가 적었다.
지난 5월 — HBM4E 샘플을 세계에서 처음 고객사에 넘겼다는 것도 같은 기사의 서술이다.
현지시간 8월 4일 — FMS 2026 개막. 삼성전자가 zHBM과 zNAND-O 목업을 업계 처음으로 공개했다고 이데일리가 전했다. 400단 이상 V10 BV-낸드와 HPB를 적용한 HBM5 목업도 같은 날 나왔다.
현지시간 8월 4일 — 이진엽 플래시개발실 부사장과 김경륜 D램개발실 상무가 기조연설에 나섰다.
한국시간 8월 5일 새벽 — 뉴시스 4시 30분, 서울경제 4시 31분, 머니투데이 5시 7분, 뉴스1 5시 26분, 이데일리 5시 27분 순으로 기사가 나왔다.
현지시간 8월 6일 — 행사가 끝난다. 뉴시스와 머니투데이, 이데일리가 사흘 일정으로 전했다.
그 뒤 — zHBM과 zNAND-O, V10 BV-낸드를 언제 양산하고 누구에게 공급하는지는 다섯 기사 어디에도 없다.
나에게 걸리는 것
이번 발표에서 지금 살 수 있는 물건은 없다. 다섯 기사가 공개됐다고 적은 것은 zHBM과 zNAND-O의 목업, HBM5 목업, 그리고 V10 BV-낸드다. 목업은 실물이 아니라 모형이라는 뜻으로 쓰였고 이데일리는 V10 쪽에도 목업이라는 말을 붙였다. 나머지 기사는 실물인지 모형인지를 갈라 적지 않았다. 언제 만들어 파는지, 값이 얼마인지, 어느 고객사에 들어가는지를 적은 문장은 다섯 기사 어디에도 없다.
숫자를 볼 때 기준을 같이 보는 것이 이 소재에서는 특히 중요하다. 8배는 지금 팔리는 HBM과 견준 값이 아니라 HBM5와 견준 값이고, 그 HBM5를 두고 머니투데이는 아직 개발조차 끝나지 않았다고, 서울경제는 개발 단계라고 적었다. 기준이 완성되기 전에 나온 배수라는 사실은 다섯 기사에 그대로 적혀 있지만, 그 점을 따로 떼어 설명한 기사는 없었다. 전성비 3배도 마찬가지다. 어떤 기사를 먼저 읽었느냐에 따라 HBM5와 견준 값으로도, 전작과 견준 값으로도 읽힌다.
원문을 직접 확인하려는 사람에게 걸리는 점도 있다. 뉴스1 기사는 성능 8배와 전성비 3배, 열 저항 절반 이상이라는 값이 소제목 자리에 담겨 있고 그 아래 설명이 이어지지 않은 상태로 확인됐다. 같은 값의 문맥까지 보려면 나머지 네 기사를 봐야 한다. 반대로 기술 용어의 뜻을 찾는다면 머니투데이가 가장 자세하다. BV와 웨이퍼 본딩, 3 스택을 괄호로 풀어 놓은 곳이 그 기사다.
무엇이 확인됐고 무엇이 안 됐나
확인된 것부터 적는다. 행사 이름과 장소, 현지시간 4일부터 6일까지라는 일정, zHBM이 AI 가속기 위쪽에 HBM을 세로로 올리는 구조라는 점, HBM5와 견준 성능 최대 8배와 전성비 최대 3배, 열 저항 절반 이상이라는 세 값, zNAND-O가 TSV를 써서 4단이나 8단 칩을 3D로 묶은 제품이라는 점, V10 BV-낸드가 400단 이상이고 업계에서 처음이라는 점, 직전 세대보다 집적도가 약 58% 높다는 값, 직전 제품이 286단 9세대이고 300단대를 지나쳤다는 서술, 기조연설자 두 사람의 이름과 소속은 모두 기사 본문에 있다.
확인되지 않은 것이 더 많다. 8배와 3배가 어떤 시험에서 무엇을 측정해 나온 값인지 밝힌 기사가 없다. 삼성이 스스로 잰 값인지 바깥에서 검증한 값인지도 나오지 않는다. 기준이 된 HBM5가 어느 기구의 어떤 규격이고 그 규격이 언제 확정되는지도 다섯 기사에 없다. zHBM을 몇 단까지 쌓는지는 서울경제 한 곳만 4단이라고 적었고 나머지 네 곳은 적지 않았다. 양산과 공급 시점, 가격, 물량, 고객사, 경쟁사와의 비교는 어느 기사에도 없다. zHBM의 z가 무엇의 약자인지도 다섯 기사 모두 풀어 놓지 않았다.
표기가 갈리는 대목도 남는다. 김경륜의 직책을 뉴시스와 머니투데이, 이데일리는 D램개발실 상무로 적었고 서울경제는 D램설계팀 상무로 적었다. 기조연설 제목도 두 매체가 서로 다른 우리말로 옮겼다. 어느 쪽이 회사가 낸 공식 표기인지는 다섯 기사만으로는 가릴 수 없다.
우리가 확인한 범위도 밝혀 둔다. 이 기사는 위 다섯 매체의 보도만 근거로 삼았다. 삼성전자가 낸 발표 자료 원문이나 FMS 2026 현장 자료는 확인하지 않았다. 여기 실린 값은 모두 언론 보도에서 확인한 것이고 회사 자료와 대조된 상태가 아니다.
앞으로 확인할 것
8배와 3배가 어떤 조건에서 무엇을 재 나온 값인지. 다섯 기사에는 측정 방법이 없다.
HBM5 규격이 언제 확정되는지. 기준선이 움직이면 그 기준으로 잰 배수도 함께 움직인다.
zHBM과 zNAND-O가 언제 양산에 들어가는지. 지금까지 공개된 것은 목업이다.
V10 BV-낸드의 양산 일정. 400단 이상이라는 값 말고 시점을 적은 기사가 없다.
전성비 최대 3배의 비교 대상이 어느 쪽으로 정리되는지. 지금은 HBM5 기준과 전작 기준이 함께 놓여 있다.
삼성전자가 직접 낸 자료에 같은 수치가 어떻게 적혀 있는지. 지금 값은 전부 언론 보도 기준이다.
직전 세대 낸드의 단수와 집적도 향상률이 한 자료에서 함께 확인되는지. 지금은 286단과 약 58%가 서로 다른 기사에 흩어져 있다.
이 기사가 본 자료
이 기사는 다섯 건의 보도를 근거로 삼았다. 뉴시스(홍세희 기자, 8월 5일 등록 4시 30분·수정 6시 14분), 서울경제(김창영 특파원, 8월 5일 입력 4시 31분), 머니투데이(박종진 기자, 8월 5일 5시 7분), 뉴스1(황진중 기자, 8월 5일 오전 5시 26분), 이데일리(김소연 기자, 8월 5일 오전 5시 27분 입력·5시 33분 수정)다.
다섯 기사 가운데 구조와 기술 용어를 가장 자세히 푼 곳은 머니투데이와 이데일리이고, zHBM의 적층 단수와 메모리 병목을 언급한 곳은 서울경제다. 뉴스1은 값의 존재를 교차 확인하는 데 썼다.