삼성전자 400단 이상 V10 BV-NAND 공개 — 집적도 58% 향상, 다만 양산 시점과 고객은 나오지 않았다

• 삼성전자가 FMS 2026에서 400단 이상 쌓아 올린 10세대 낸드 'V10 BV-NAND'를 업계 최초로 공개했다고 인포스탁데일리가 5일 전했다.
• 설명된 수치는 하나다. 전 세대인 V9와 견줘 메모리 집적도를 약 58% 높였다는 것이다. 웨이퍼 본딩과 3 Stack 기술로 400단 이상을 구현했다고 밝혔다.
• 다만 정확히 몇 단인지는 밝히지 않았다. 양산 시점도, 고객사도, 읽기·쓰기 성능이 얼마나 올랐는지도 이 기사에 없다.

낸드플래시는 데이터를 담아 두는 반도체다. 이 분야의 경쟁은 오래전부터 하나로 요약된다. 같은 넓이에 얼마나 많이 담느냐. 그래서 회사들은 층을 위로 쌓아 올린다.

8월 5일 인포스탁데일리가 삼성전자가 미국에서 공개한 새 낸드를 전했다. 이름은 V10 BV-NAND, 10세대 제품이다. 층수는 400단 이상이고 업계에서 처음이라고 적혔다.

먼저 자리를 짚자. 삼성전자는 8월 4일부터 6일까지 미국 캘리포니아 산타클라라 컨벤션센터에서 열리는 FMS 2026에 참가했다. AI 클라우드 서버 모양으로 꾸민 약 20평 규모의 부스를 냈다.

전시는 세 구역으로 나뉘었다. 하이라이트, 클라우드 AI, 엣지 AI다. 여기에 HBM4E와 HBM5, LPDDR5X-PIM, PM1763 같은 제품을 함께 놓았다.

기조연설도 있었다. 첫날인 4일 오전 11시40분이었고, 연단에는 두 사람이 올랐다. 플래시 개발실을 맡은 이진엽 부사장과 D램 개발실의 김경륜 상무다. 주제는 AI 혁명의 물결을 이끄는 메모리·스토리지 구조의 3D 혁신이었다.

이제 V10 BV-NAND다. 어떻게 400단을 넘겼나. 기사에 적힌 것은 두 가지 기술이다. 웨이퍼 본딩과 3 Stack이다.

쉽게 말하면 한 번에 400단을 쌓은 것이 아니라 여러 덩어리를 따로 만들어 붙였다는 뜻이다. 층을 높이 쌓을수록 구멍을 곧게 뚫기 어려워지는데, 나눠 만들어 접합하면 그 한계를 피할 수 있다.

성과로 제시된 수치는 하나다. 전 세대인 V9와 견줘 메모리 집적도를 약 58% 높였다는 것이다. 같은 면적에 더 많은 데이터를 담을 수 있다는 뜻이다.

그 밖의 성능은 말로만 나온다. 읽기·쓰기 성능과 입출력 속도를 전 세대보다 더 끌어올렸다고 했는데, 얼마나 올랐는지 숫자가 없다.

정확한 단수도 밝히지 않았다. 「400단 이상」까지다. 경쟁사가 몇 단까지 왔는지와 견준 대목도 없다. 그래서 이 발표가 얼마나 앞선 것인지는 이 기사만으로 가늠하기 어렵다.

함께 공개된 것도 있다. zNAND-O라는 차세대 3D 메모리 구조다. 아직 개발 중인 고성능 낸드 솔루션인데, 기존 V-NAND의 수직 적층에 TSV 기술을 더해 4단이나 8단짜리 칩을 3D로 패키징한 제품이다.

이름 끝의 O는 기기 안에서 AI를 돌리는 환경에 맞췄다는 뜻이라고 기사는 적었다. 다만 이쪽도 사양과 양산 계획은 나오지 않는다.

HBM 쪽 진도도 함께 정리돼 있다. 삼성전자는 지난 2월 1c D램과 4나노 베이스 다이를 적용한 HBM4를 업계 최초로 양산 출하했고, 5월에는 HBM4E 샘플을 세계 최초로 고객사에 공급했다고 밝혔다.

여기서도 고객사 이름은 없다. 「고객사에 공급」까지다.

이 기사 전체를 놓고 보면 성격이 뚜렷하다. 회사가 무엇을 만들 수 있는지를 보여 주는 자리이고, 그것이 언제 팔리는지는 다음 이야기다.

그래서 확인할 것을 정리하면 이렇다. 400단 이상이라는 사실과 집적도 58% 향상은 회사 설명으로 나왔다. 반면 정확한 단수, 양산 시점, 고객사, 성능 수치는 전부 비어 있다.

2026년 2월 — 삼성전자가 1c D램과 4나노 베이스 다이를 적용한 HBM4를 업계 최초로 양산 출하했다.

2026년 5월 — HBM4E 샘플을 세계 최초로 고객사에 공급했다. 고객사 이름은 기사에 없다.

2026년 8월 4일 (현지시간) — FMS 2026 개막. 삼성전자가 약 20평 부스를 열었고, 오전 11시40분에 기조연설을 했다. 이날 V10 BV-NAND와 zNAND-O 를 공개했다.

2026년 8월 5일 — 인포스탁데일리 보도.

2026년 8월 6일 (현지시간) — FMS 2026 종료 예정일.

이후 — V10 BV-NAND 의 양산 시점은 기사에 나오지 않는다.

*V10 BV-NAND | 값**

적층 | 400단 이상 (정확한 단수 확인 안 됨)

세대 | 10세대 V-NAND

구현 기술 | 웨이퍼 본딩 · 3 Stack

집적도 | 전 세대(V9) 대비 약 58% 향상

읽기·쓰기 성능, I/O 속도 | 「더욱 끌어올렸다」 — 수치 확인 안 됨

양산 시점 | 확인 안 됨

고객사 | 확인 안 됨

*zNAND-O | 값**

상태 | 개발 중

구조 | V-NAND 수직 적층 + TSV · 4단 또는 8단 칩을 3D 패키징

이름의 O | On-device AI 환경에 최적화됐다는 뜻

사양·양산 계획 | 확인 안 됨

*행사 | 내용**

FMS 2026 | 2026년 8월 4~6일 (현지시간) · 미국 캘리포니아 산타클라라 컨벤션센터

부스 | 약 20평 · AI 클라우드 서버 형상

전시 구역 | Highlight · Cloud AI · Edge AI

함께 전시 | HBM4E · HBM5 · LPDDR5X-PIM · PM1763

기조연설 | 8월 4일 오전 11시40분 · 이진엽 부사장, 김경륜 상무

*HBM 진도 | 내용**

2026년 2월 | HBM4 양산 출하 (1c D램 · 4나노 베이스 다이, 업계 최초)

2026년 5월 | HBM4E 샘플 고객사 공급 (세계 최초) · 고객사 확인 안 됨

*확인 안 된 것 | 내용**

경쟁사 적층 단수와의 비교 | 확인 안 됨 — 「업계 최초」라는 표현만 있다

집적도 58% 향상의 측정 조건 | 확인 안 됨

수주·계약 | 확인 안 됨 — 이 기사에 하나도 없다

삼성전자를 보는 사람에게 이 기사에서 실제로 쓸 수 있는 숫자는 하나다. 전 세대 대비 집적도 약 58% 향상이다. 같은 넓이의 웨이퍼에서 더 많이 뽑아낼 수 있다는 뜻이라 원가에 직접 걸린다.

다만 어떤 조건에서 잰 값인지가 없다. 회사가 밝힌 값을 그대로 옮긴 것이고 제3자가 확인한 것이 아니다.

「400단 이상」이라는 표현도 그대로 읽어야 한다. 정확한 단수를 안 밝혔다는 것은 그 자체로 정보다. 경쟁사와의 격차를 재려면 그 숫자가 필요한데 기사에 없다.

쌓는 방식이 웨이퍼 본딩과 3 Stack 이라는 점은 눈여겨볼 만하다. 한 덩어리로 400단을 만드는 것과 나눠 만들어 붙이는 것은 공정도 수율도 다르다. 장비·소재 쪽에 걸리는 대목이 여기다.

그리고 이 발표는 전시회에서 나온 것이다. 만들 수 있다는 것과 팔린다는 것은 다르다. 이 기사에는 양산 시점도 고객사도 없다.

HBM 쪽 진도가 함께 정리된 것도 참고가 된다. 2월 HBM4 양산 출하, 5월 HBM4E 샘플 공급이다. 이쪽은 이미 제품 단계로 넘어간 자리다.

확인된 것 — 삼성전자가 FMS 2026에서 400단 이상 적층한 10세대 낸드 V10 BV-NAND 를 공개했다는 사실.

확인된 것 — 웨이퍼 본딩과 3 Stack 기술로 400단 이상을 구현했다는 회사 설명.

확인된 것 — 전 세대 V9 대비 메모리 집적도를 약 58% 높였다는 회사 설명.

확인된 것 — zNAND-O 를 함께 공개했고 아직 개발 중이라는 점.

확인된 것 — FMS 2026 일정과 부스 규모, 기조연설 시각과 발표자.

확인된 것 — 2월 HBM4 양산 출하, 5월 HBM4E 샘플 공급.

확인 안 됨 — V10 BV-NAND 의 정확한 적층 단수.

확인 안 됨 — 양산 시점과 고객사, 수주.

확인 안 됨 — 읽기·쓰기 성능과 I/O 속도의 향상 폭.

확인 안 됨 — 집적도 58% 향상의 측정 조건.

확인 안 됨 — 경쟁사 적층 단수와의 비교.

확인 안 됨 — zNAND-O 의 사양과 양산 계획.

V10 BV-NAND 의 정확한 적층 단수가 공개되는지.

양산 시점과 첫 고객사가 나오는지.

읽기·쓰기 성능과 I/O 속도의 향상 폭이 수치로 제시되는지.

집적도 58% 향상이 제3자 측정으로 확인되는지.

경쟁사가 400단 이상 제품을 언제 내놓는지.

zNAND-O 가 개발 단계에서 제품으로 넘어가는지.

웨이퍼 본딩·3 Stack 공정 확대가 장비·소재 발주로 이어지는지.

이 기사는 인포스탁데일리의 보도 한 건을 근거로 삼았다. 김세원 기자가 8월 5일 오전 11시6분에 출고했다.

삼성전자 보도자료 원문과 FMS 2026 발표 자료는 직접 확인하지 못했다. 성능과 집적도 수치는 회사가 밝힌 값이고 제3자 검증이 아니다.

낸드 적층과 웨이퍼 본딩, 3 Stack 을 풀어 쓴 설명은 이해를 돕기 위한 것이고 원 기사의 서술이 아니다.

기사에 없는 단수·양산 시점·고객사는 채워 넣지 않고 확인 안 됨으로 뒀다.